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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3062 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SK3062 |
Data Sheet D13101EJ1V0DS00
3
2SK3062
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature -
°
C
d
0
25
50
75
100
125
150
175
200
20
40
60
80
100
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature -
°
C
P
T
0
25
50
75
100
125
150
175
200
140
120
100
80
60
40
20
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
T
= 25
C
Single Pulse
R
DSon
Lmted@V
GS
=10V
P
W
=
10
μ
s
100
μ
s
1
ms
ms
100
ms
DCDsspai10
I
D(DC)=70 A
I
D(pulse)=280 A
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
2
3
4
200
1
Pulsed
V
GS
=
10 V
V
GS
=
4.0
V
100
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
Pulsed
V
DS
= 10
V
T
A
= 125C
75C
25C
25C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3062-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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