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參數(shù)資料
型號: 2SK30ATMGR
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|場效應(yīng)| N溝道| 2.6MA我(直)|到92
文件頁數(shù): 1/10頁
文件大小: 54K
代理商: 2SK30ATMGR
2SK3070(L),2SK3070(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-684G (Z)
8th. Edition
February 1999
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 4.5 m typ.
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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