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參數資料
型號: 2SK3113B
廠商: NEC Corp.
英文描述: MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述: MOS場效應管
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 195K
代理商: 2SK3113B
Data Sheet D18061EJ3V0DS
6
2SK3113B
SINGLE AVALANCHE CURRENT vs.
INDUCTIVE LOAD
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
I
A
100
μ
L - Inductive Load - H
1 m
10 m
100
1.0
10
0.1
10
μ
R
G
= 25
Ω
V
DD
= 150 V
V
= 20
0 V
Starting T
ch
= 25
C
I
AS
= 2.0 A
E
AS
= 2.7 mJ
E
75
150
125
50
100
25
V
DD
= 150 V
R
G
= 25
Ω
V
GS
= 20
0 V
I
AS
2.0 A
0
20
40
60
80
100
120
Starting T
ch
- Starting Channel Temperature - °C
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PDF描述
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