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參數資料

2SK3136

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-696B (Z)

3rd. Edition

Feb. 1999

Features

Low on-resistance

DS(on) =4.5m typ.

Low drive current

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

TO–220AB

1. Gate

2. Drain(Flange

3. Source

相關PDF資料	PDF描述
2SK3141-E	75 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3142-E	60 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3147L-E	5 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3147STL-E	5 A, 100 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3155-E	15 A, 150 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

相關代理商/技術參數	參數描述
2SK3136-E	制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3140	制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3140(E)	制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3141	制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3141-E	制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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