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參數資料
| 型號： | 2SK317 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 180V五（巴西）直| 8A條（丁）|的SOT - 119VAR |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 61K |
| 代理商： | 2SK317 |
2SK3134(L), 2SK3134(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-721B (Z)
3rd. Edition
Feb. 1999
Features
Low on-resistance
R
DS(on) =4m typ.
Low drive current
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK318 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-119VAR |
| 2SK3199 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3200 | MOSFET |
| 2SK3203(L).2SK3203(S) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK345 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3174A | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK3175A | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET UHF Power Amplifier |
| 2SK3176 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3176(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 200V 30A Rdson 0.052 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3176_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications |
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