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參數資料
型號: 2SK323
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
文件頁數: 1/7頁
文件大?。?/td> 38K
代理商: 2SK323
2SK3210(L), 2SK3210(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-760A (Z)
Target Specification 2nd. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance
R
DS = 40m typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK3230 2SK3230 Data Sheet | Data Sheet[01/2002]
2SK3235 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK325 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-3
2SK3270-01MR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3272-01SJ TRENCH MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK3230 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM
2SK3230B 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM
2SK3230C 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3233 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3233(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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