欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料

2SK3210(L), 2SK3210(S)

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-760A (Z)

Target Specification 2nd. Edition

Mar. 2001

Features

Low on-resistance

DS = 40m typ.

High speed switching

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

LDPAK

相關PDF資料	PDF描述
2SK3279TP	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3279TP-FA	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-252VAR
2SK3419	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3430-ZJ	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-263AB
2SK3431-ZJ	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset

相關代理商/技術參數	參數描述
2SK327700L	功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3278	制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications
2SK3279	制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p
2SK3279TP	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-251VAR
2SK3279TP-FA	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-252VAR

發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

*型號	*數量	廠商	批號	封裝

添加更多采購