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參數資料
| 型號： | 2SK3288 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | MPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK3288 |
2SK3288
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Switching
ADE-208-803 (Z)
1st.Edition.
June 1999
Features
Low on-resistance
R
DS = 2.7
typ. (V
GS
= 10 V , I
D = 50 mA)
R
DS = 4.7
typ. (V
GS = 4 V , ID = 20 mA)
4 V gate drive device.
Small package (MPAK)
Outline
1
2
3
1. Source
2. Gate
3. Drain
MPAK
D
S
G
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3291 | 1.6 A, 60 V, 0.68 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3292 | 2 A, 60 V, 0.44 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3294-AZ | 20 A, 250 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK3295-S | 35 A, 20 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 2SK3295-ZJ | 35 A, 20 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3288ENTL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A MPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3289 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
| 2SK3289AN(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK3290 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS FET High Speed Switching |
| 2SK3290BNTL | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
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