- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371554 > 2SK3372 (PANASONIC CORP) Silicon N-Channel Junction PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK3372 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Junction |
| 中文描述： | 0.46 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SSSMINI-F1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SK3372 |
Silicon Junction FETs (Small Signal)
2SK3372
Silicon N-Channel Junction
1
Publication date: April 2002
SJF00032AED
For impedance conversion in low frequency
For electret capacitor microphone
I
Features
High mutual conductance g
m
Low noise voltage of NV
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
1: Drain
2: Source
3: Gate
SSSMini3-F1 Package
Unit: mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DSO
20
V
Drain-gate voltage
V
DGO
I
DSO
I
DGO
20
V
Drain-source current
2
mA
Drain-gate current
2
mA
Gate-source current
I
GSO
P
D
T
opr
2
mA
Allowable power dissipation
100
mW
Operating ambient temperature
20 to
+
80
55 to
+
125
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
Marking Symbol: 1H
Parameter
Symbol
I
D
*1
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Drain current
V
DS
=
2.0 V, R
D
=
2.2 k
±
1%
V
DS
=
2.0 V, R
D
=
2.2 k
±
1%, V
GS
=
0
V
D
=
2.0 V, V
GS
=
0, f
=
1 kHz
V
D
=
2.0 V, R
D
=
2.2 k
±
1%
C
O
=
5 pF, A-Curve
V
D
=
2.0 V, R
D
=
2.2 k
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz
V
D
=
12 V, R
D
=
2.2 k
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz
V
D
=
1.5 V, R
D
=
2.2 k
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz
V
D
=
2.0 V, R
D
=
2.2 k
±
1%
C
O
=
5 pF, e
G
=
10 mV, f
=
1 kHz to 70 Hz
100
460
μ
A
I
DSS
g
m
NV
107
470
Mutual conductance
660
1
600
μ
S
mV
Noise voltage
4
Voltage gain
G
V1
7.5
4.7
dB
G
V2
4.0
1.5
G
V3
8.0
5.0
G
V
. f
*2
0
1.7
Voltage gain difference
G
V2
G
V1
G
V1
G
V3
ESD
0
4.0
dB
0
1.7
Electrostatic discharge
*3
C
=
200 pF, R
=
0
±
200
V
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
±
3
°
C
Note)*1: I
D
is assured for I
DSS
.
*2:
G
V
. f
is assured for AQL 0.065%. (the measurement method is used by source-grounded circuit.)
*3: Test method of electrostatic discharge are based on Standard of Electronic Industries Association of Japan EIAJ ED-4701
Environmental and endurance test methods for semiconductor devices. Judgment standard is product specification.
1
±
0
0
±
0
0
0
5
0
0
±
0
0
0.33
(0.40)
(0.40)
0.80
±
0.05
1.20
±
0.05
1
2
3
5
+0.05
0.10
+0.05
0.23
+0.05
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3373 | Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications |
| 2SK3374 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSV) |
| 2SK3387 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2-pi-MOSV) |
| 2SK3388 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
| 2SK3389 | Switching Regulator, DC-DC Converter Applications Motor Drive Applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK33720RL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK33720SL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK33720TL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK33720UL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSS-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK3372GRL | 功能描述:JFET N-CH 20V 2MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。