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參數(shù)資料
型號: 2SK3479-ZJ-E1-AZ
廠商: Renesas Electronics America
文件頁數(shù): 1/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 83A TO-263
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 83A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11 毫歐 @ 42A,10V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 210nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 11000pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: 2SK3479-ZJ-E1-AZDKR
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