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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3506 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
| 中文描述： | 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | 2SK3506 |
2SK3506
2002-09-04
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (
π
-MOS
V
)
2SK3506
Relay Drive and DC-DC Converter Applications
Motor Drive Applications
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 16 m
(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 26 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
= 100 μA (max) (V
DS
= 30 V)
Enhancement-model: V
th
= 1.5 to 3.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DSS
30
V
Drain-gate voltage (R
GS
20 k )
V
DGR
30
V
Gate-source voltage
V
GSS
20
V
DC
(Note 1)
I
D
45
Drain current
Pulse (Note 1)
I
DP
135
A
Drain power dissipation (Tc 25°C)
P
D
100
W
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
E
AS
220
mJ
Avalanche current
I
AR
45
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)
E
AR
10
mJ
Channel temperature
T
ch
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to150
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
R
th (ch-c)
1.25
°C/W
Thermal resistance, channel to ambient
R
th (ch-a)
50
°C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: V
DD
25 V, T
ch
25°C (initial), L 78 H, I
AR
45 A, R
G
25
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-65
TOSHIBA
2-16C1B
Weight: 4.6 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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