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參數資料
型號: 2SK3533-01
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 性病MOSFET的
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 113K
代理商: 2SK3533-01
4
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-8
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-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25°C. Vcc=60V
t
AV
[sec]
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-6
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-5
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-4
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-3
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-1
10
0
10
-3
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-2
10
-1
10
0
10
1
Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=t/T
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
Z
o
C
t [sec]
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
A
A
t
T
D=
t
T
相關PDF資料
PDF描述
2SK3534-01MR STD MOSFET
2SK3535-01 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3537-01MR MOSFETs
2SK3549-01 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK355 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK3533-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3534-01MRSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3537-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK353900L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3539G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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