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參數資料
型號: 2SK363GR
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|場效應| N溝道| 5mA的我(直)|到92
文件頁數: 4/4頁
文件大小: 67K
代理商: 2SK363GR
DATE
NAME
DRAWN
CHECKED
REVISIONS
APPROVED
D
Fuji Electric Co.,Ltd.
T
F
l
t
t
MA4LE
GATE
DRAIN
SOURCE
See Note: 1.
Trademark
Lot No.
Type name
FUJI POWER MOS FET
CONNECTION
Notes
1. ( ) : Reference dimensions.
2. The metal part is covered with
the solder plating, part of cutting
is without the solder plating.
Note: 1. Guaranteed mark of
avalanche ruggedness.
OUT VIEW
Fig. 1.
Fig. 1.
Solder Plating
Pre-Solder
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
2
4
1
3
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PDF描述
2SK363V TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 14MA I(DSS) | TO-92
2SK3644-01 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
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參數描述
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