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參數資料
型號: 2SK367GR
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|場效應| N溝道| 2.6MA我(直)| SPAK
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 67K
代理商: 2SK367GR
DATE
NAME
DRAWN
CHECKED
REVISIONS
APPROVED
D
Fuji Electric Co.,Ltd.
T
F
l
t
t
MA4LE
GATE
DRAIN
SOURCE
See Note: 1.
Trademark
Lot No.
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
Type name
FUJI POWER MOS FET
CONNECTION
Notes
1. ( ) : Reference dimensions.
2. The metal part is covered with
the solder plating, part of cutting
is without the solder plating.
Note: 1. Guaranteed mark of
avalanche ruggedness.
Pre-Solder
Fig. 1.
Fig. 1.
OUT VIEW
Solder Plating
1
2
3
4
相關PDF資料
PDF描述
2SK367O TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | SPAK
2SK367Y Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3680-01 MOSFETs
2SK3681-01 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3682-01 STD LQg MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SK3681-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET N TO-247
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