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參數資料
型號: 2SK369BL
英文描述: Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述: 晶體管|場效應| N溝道| 8mA的我(直)|到92
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 67K
代理商: 2SK369BL
DATE
NAME
DRAWN
CHECKED
REVISIONS
APPROVED
D
Fuji Electric Co.,Ltd.
T
F
l
t
t
MA4LE
GATE
DRAIN
SOURCE
See Note: 1.
Trademark
Lot No.
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
Type name
FUJI POWER MOS FET
CONNECTION
Notes
1. ( ) : Reference dimensions.
2. The metal part is covered with
the solder plating, part of cutting
is without the solder plating.
Note: 1. Guaranteed mark of
avalanche ruggedness.
Pre-Solder
Fig. 1.
Fig. 1.
OUT VIEW
Solder Plating
1
2
3
4
相關PDF資料
PDF描述
2SK369GR TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | TO-92
2SK369V Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK370BL TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK
2SK370GR Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK370V TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 10MA I(DSS) | SPAK
相關代理商/技術參數
參數描述
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2SK369GRF 功能描述:JFET Low Noise N-Ch VGDS -40V NF 1.0dB RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
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