- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369208 > 2SK369V Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK369V |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|場效應| N溝道| 14MA我（直）|到92 |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SK369V |
DATE
NAME
DRAWN
CHECKED
REVISIONS
APPROVED
D
Fuji Electric Co.,Ltd.
T
F
l
t
t
MA4LE
GATE
DRAIN
SOURCE
See Note: 1.
Trademark
Lot No.
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
Type name
FUJI POWER MOS FET
CONNECTION
Notes
1. ( ) : Reference dimensions.
2. The metal part is covered with
the solder plating, part of cutting
is without the solder plating.
Note: 1. Guaranteed mark of
avalanche ruggedness.
Pre-Solder
Fig. 1.
Fig. 1.
OUT VIEW
Solder Plating
1
2
3
4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK370BL | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK370GR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK370V | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 10MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK371BL | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK371GR | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SPAK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK369-V(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans JFET N-CH 30mA Si 3-Pin TO-92 |
| 2SK3700(F) | 功能描述:MOSFET N-Ch 700V PWR FET ID 5A PD 150W 1150pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3702 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 18A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3703 | 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3703-1E | 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:30 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:180 mA 電阻汲極/源極 RDS（導通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-416 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。