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參數資料
| 型號： | 2SK372GR |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|場效應| N溝道| 5mA的我（直）| SPAK |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | 2SK372GR |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK372Y | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 14MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK373GR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK373O | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | TO-92 |
| 2SK373Y | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK376 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 60UA I(DSS) | SPAK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK372-GR(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Bulk |
| 2SK3737-5-TL-E | 功能描述:MOSFET N-CH 15V 30MA 3MCP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF FET 系列:- 產品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數據:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR |
| 2SK3737-6-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH.HF 15V 0.03A SOT323 |
| 2SK3738-TL-E | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2SK3740-ZK-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Transistor,FET,Nch,250V/20A,TO263 |
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