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參數資料
| 型號： | 2SK3830 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | N通道馬鞍山硅晶體管 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | 2SK3830 |
2SK3830
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : TO-3PB
15.6
14.0
2
3
1
1.6
1.0
2.0
0.6
2
2
1
1
3.2
4.8
2.0
0.6
5.45
5.45
1
1
2
3
PW=10
μ
s
D.C.
1%
P.G
50
G
S
D
ID=36A
RL=0.83
VDD=30V
VOUT
2SK3830
VIN
10V
0V
VIN
50
15V
0V
≥
50
RG
DUT
VDD
L
°
°
°
°
°
°
°
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK383 | SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK3944 | 2SK3944 |
| 2SK398 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK399 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247VAR |
| 2SK4027 | N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3842(TE24L,Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 75A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3844(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 45A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3845(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 70A Rdson=0.0058Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3846(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 40V 26A TO220NIS |
| 2SK3847(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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