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參數資料
| 型號： | 2SK388 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 12A條（丁）|對247VAR |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | 2SK388 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK389BL | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 2.6MA I(DSS) | ZIP |
| 2SK389GR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK389V | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 10MA I(DSS) | ZIP |
| 2SK3830 | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| 2SK383 | SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3880(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin (3+Tab) TO-3P(N)IS Bulk |
| 2SK3891-01RSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3892 | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A TO-220D RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3899-ZK-E1-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK389BL | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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