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參數資料
| 型號： | 2SK389GR |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管|場效應| N溝道|雙| 2.6MA我（直）|郵編 |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | 2SK389GR |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK389V | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 10MA I(DSS) | ZIP |
| 2SK3830 | N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR |
| 2SK383 | SILICON N-CHANNEL MOS FET (HIGH SPEED POWER SWITCHING) |
| 2SK3944 | 2SK3944 |
| 2SK398 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3902-ZK-E1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Cut Tape |
| 2SK3903(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 600V 14A 0.44@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) |
| 2SK3904(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 450V 19A 0.26@10V TO3P(N) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 450V 19A 0.26@10V TO3P(N) Bulk |
| 2SK3905(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SK3906(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 600V 20A Rdson=0.33Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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