欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: 2SK3991-ZK-E1
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝: TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁數: 1/10頁
文件大小: 274K
代理商: 2SK3991-ZK-E1
To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both
companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1st, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.
相關PDF資料
PDF描述
2SK3991-AZ 30000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SK3992-ZK-E1 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK3992 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
2SK3992-ZK-E1-AZ 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK3992-AZ 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
相關代理商/技術參數
參數描述
2SK3991-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3991-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3992-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3992-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3993-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
主站蜘蛛池模板: 新宾| 中方县| 阆中市| 浏阳市| 荃湾区| 乐亭县| 三江| 石城县| 大安市| 准格尔旗| 于田县| 永宁县| 海口市| 清水河县| 江油市| 永安市| 大埔县| 成安县| 平邑县| 丹凤县| 瑞金市| 石棉县| 房产| 成安县| 平潭县| 武义县| 彭泽县| 英吉沙县| 阳泉市| 山东省| 朔州市| 全南县| 靖远县| 无极县| 崇礼县| 太原市| 彭阳县| 长汀县| 溧阳市| 泾川县| 高唐县|