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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK715V |
| 廠商： | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SPA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SK715V |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK715T | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK715T | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK715 | 50 mA, 15 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK719 | 5 A, 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK724 | 10 A, 500 V, 0.67 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3P |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK715V-AC | 功能描述:MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK715W | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2SK715W-AC | 功能描述:MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET（結(jié)點(diǎn)場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān)）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK719 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
| 2SK72 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 600UA I(DSS) | TO-71 |
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