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參數資料
| 型號： | 2SK769 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 10A條（丁）|對247VAR |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 140K |
| 代理商： | 2SK769 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK770 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186 |
| 2SK772D | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK772E | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK772F | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK774 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-247VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK770 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186 |
| 2SK771 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Low-Frequency General-Purpose Amp Applications |
| 2SK771-5-TB-E | 功能描述:JFET N-CH 40V 20MA SCP RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK772 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:AF Amp Applications |
| 2SK772D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SPAK |
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