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參數資料
| 型號： | 2SK973(L) |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直|甲（丁）|對251AA |
| 文件頁數： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 39K |
| 代理商： | 2SK973(L) |
2SK970
20
16
12
8
4
0
0.4
1.2
1.6
2.0
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
0.8
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
R
D
V
GS
= 0, – 5 V
Pulse Test
10 V
15 V
5 V
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
10
μ
1 m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
100
μ
1
10
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
s
P
DM
PW
D = T
T
T
C
= 25°C
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1 Shot Puse
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 4.17°C/W, T
C
= 25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK973(S) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA |
| 2SK974(L) | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK974(S) | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA |
| 2SK981 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK981A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-221VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK973S | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK974 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:高速高壓MOS大功率場效應管 |
| 2SK974(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251AA |
| 2SK974(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-252AA |
| 2SK974L | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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