- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄55800 > 2SPT6341SD (SOLID STATE DEVICES INC) 25 A, 125 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SPT6341SD |
| 廠商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 25 A, 125 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | 0.170 X 0.180 INCH, DIE-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2SPT6341SD |
NOTE: All specifications are subject to change without notification.
SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.
DATA SHEET #: TR0101A
Doc
Solid State Devices, Inc.
14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638
Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
DESIGNER’S DATA SHEET
.180
.170
E
B
.011
2SPT6341SD
MultiEpitaxial Planar
NPN Power Transistor Die
Features:
Recommended replacement for the 2N6338 – 6341 series
Die Size: 170 x 180 Mils
Die Thickness: 260 – 330 m
Bonding Area:
Emitter: 30 x 60 Mils
Base:
40 x 50 Mils
Maximum Recommended Wire Bonding:
Emitter: Al (15 Mils Dia)
Base:
Al (15 Mils Dia)
Metallization:
Top:
60,000 Al
Bottom: 5,500 Au / Cr / Ni / Au
Maximum Ratings
4/
Symbol
Value
Units
Collector – Emitter Voltage
VCEO
125
Volts
Collector – Base Voltage
VCBO
180
Volts
Emitter – Base Voltage
VEBO
6
Volts
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
IC
IC max
25
50
Amps
Continuous Base Current
IB
10
Amps
Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
PD
200
1.143
W
W/C
Operating & Storage Temperature
Top & Tstg
-65 to +200
C
Maximum Thermal Resistance
Junction to Case
RθJC
0.875
C/W
Electrical Characteristic
4/
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Collector – Emitter
Breakdown Voltage
IC = 50mA
BVCEO
3/
125
135
––
Volts
Collector – Cutoff Current
VCE = 125 V; VBE = 1.5 V
VCE = 125 V; VBE = 1.5 V; T= 150C
ICEX
3/
––
0.020
—
10
1
A
mA
Collector – Cutoff Current
VCB = 180 V
ICBO1
3/
––
0.020
10
uA
Emitter – Cutoff Current
VEB = 6 V
IEBO
3/
––
0.001
100
uA
DC Current Gain *
VCE = 2V, IC = 500mA
VCE = 2V, IC = 10A
VCE = 2V, IC = 25A
hFE1
3/
hFE2
3/
hFE3
50
30
12
120
185
120
––
220
––
Collector – Emitter Saturation
Voltage*
IC = 10A, IB = 1 A
IC = 25A, IB = 2.5A
VCE(Sat)
––
0.35
0.93
1.0
1.8
Volts
Base – Emitter Saturation
Voltage *
IC = 10A, IB = 1A
IC = 25A, IB = 2.5A
VBE(Sat)
––
1.13
1.73
1.8
2.5
Volts
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2STA1962 | 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STC4793 | 1 A, 230 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2STR1215 | 1500 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 40-01/G4C-AQSB | SINGLE COLOR LED, BRILLIANT GREEN |
| 40-25AUWD/TR8 | SINGLE COLOR LED, WHITE, 5 mm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SQ-10 | 制造商:Mac8 功能描述: |
| 2SQ-10-GM110 | 功能描述:GRIP MATERIAL 2" SQ BLK 10/PK RoHS:是 類別:膠帶，粘合劑 >> 帶 系列:GM110 標準包裝:1 系列:- 膠帶類型:標記 - 印有“無鉛區域”字樣 膠合劑:- 背襯，載體:- 厚度:- 厚度 - 膠合劑:- 厚度 - 背膠，載體，襯墊:- 寬:1.00"（25.40mm） 長度:360'（109.7m）120 碼 顏色:白色字符，綠色背景 使用:標記 溫度范圍:- 包裝:卷 |
| 2SQ-10-GM400 | 功能描述:GRIP MATERIAL 2" SQ BLK 10/PK RoHS:是 類別:膠帶，粘合劑 >> 帶 系列:GM400 標準包裝:1 系列:- 膠帶類型:標記 - 印有“無鉛區域”字樣 膠合劑:- 背襯，載體:- 厚度:- 厚度 - 膠合劑:- 厚度 - 背膠，載體，襯墊:- 寬:1.00"（25.40mm） 長度:360'（109.7m）120 碼 顏色:白色字符，綠色背景 使用:標記 溫度范圍:- 包裝:卷 |
| 2SQ-15 | 制造商:Mac8 功能描述: |
| 2SQ-15-8997 | 功能描述:POLY TAPE 2"X2" ROLL OF 15 制造商:3m (tc) 系列:* 零件狀態:有效 標準包裝:1 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。