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31DQ1O

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31DQ1O 技術參數
  • 31DF6 R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 31DF6 B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 31DF6 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 31DF4 R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 31DF4 B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:500 31FMN-SMT-A-TF 31G1-2111T 31G1-2112T 31G1-2113T 31G1-2114T 31G1-2115T 31G1-2117T 31G18-2111T 31G18-2112T 31G18-2113T 31G18-2114T 31G18-2115T 31G18-2115T3 31G18-2117T 31G3-2000T 31G3-2111T 31G3-2111T3 31G3-2112T
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