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BD135-6

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
NPN SILICON TRANSISTORS

BD135-6 技術參數

BD13516STU 功能描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD13516S 功能描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:250 BD135-16 功能描述:TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32 標準包裝:50 BD13510STU 功能描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD13510S 功能描述:TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:1.25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:250 BD13616STU BD1366S BD1366STU BD136G BD137 BD13710S BD13710STU BD13716S BD13716STU BD1376S BD1376STU BD137G BD138 BD13810S BD13810STU BD13816S BD13816STU BD1386S