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3SK319YBTL

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3SK319YBTL 技術參數

3SK294(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道頻率:500MHz 增益:26dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:1.4dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 3SK293(TE85L,F) 功能描述:FET RF 12.5V 800MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:800MHz 增益:22dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.5dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:USQ 標準包裝:1 3SK292(TE85R,F) 功能描述:MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:500MHz 增益:26dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:1.4dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 3SK291(TE85L,F) 功能描述:MOSFET N-CH SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:800MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.5dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12.5V 封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SMQ 標準包裝:1 3SK264-5-TG-E 功能描述:FET RF 15V 200MHZ CP4 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道雙門頻率:200MHz 增益:23dB 電壓 - 測試:6V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.2dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:4-CP 標準包裝:1 3SMAJ5917B-TP 3SMAJ5918B-TP 3SMAJ5919B-TP 3SMAJ5920B-TP 3SMAJ5921B-TP 3SMAJ5922B-TP 3SMAJ5923B-TP 3SMAJ5924B-TP 3SMAJ5925B-TP 3SMAJ5926B-TP 3SMAJ5927B-TP 3SMAJ5928B-TP 3SMAJ5929B-TP 3SMAJ5930B-TP 3SMAJ5931B-TP 3SMAJ5932B-TP 3SMAJ5933B-TP 3SMAJ5934B-TP