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參數(shù)資料
型號(hào): 3LN01C-TB-H
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 150mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 歐姆 @ 80mA,4V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 3-CP
包裝: 帶卷 (TR)
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