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參數資料
| 型號： | 3LN01SP |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | 3LN01SP |
| 中文描述： | 3LN01SP |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | 3LN01SP |
3LN01SP
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No.
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1.3
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3.8nom
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3LN01S | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 3LN02SP | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 3LN03M | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 3LN03SS | General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN04MH | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 3LN01SS | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 3LN01SS_07 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01SS_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01SS-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 3LN01SS-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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