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參數資料
| 型號： | 3SK321 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | 3SK321 |
3SK321
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
ADE-208-711A (Z)
2nd. Edition
Dec. 1998
Application
UHF RF amplifier
Features
Low noise figure.
NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz
Capable of low voltage operation
Provide mini mold packages; MPAK-4R(SOT-143 var.)
Outline
MPAK-4R
2
1
4
3
1. Source
2. Drain
3. Gate2
4. Gate1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3SK322 | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SMAJ5913B | 3.0 Watt Surface Mount Silicon Zener Diodes |
| 3T010 | DIL 14 PIN SINGLE OUTPUT |
| 3TH41A | SILICON DIFFUSED TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV) |
| 3TH41 | SILICON DIFFUSED TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 3SK322 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 3SK323 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier |
| 3SK324 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier |
| 3SK324UG | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Si Nch Dual Gate MOS FET UHF RF LOW NOISE Amplifier |
| 3SK37 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY FET |
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