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參數資料
型號: 40MT160PAPBF
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 激光器
英文描述: DIODE 3 PHASE, 45 A, 1600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, POWER MODULE-7, Bridge Rectifier Diode
中文描述: Bridge Rectifiers 1600 Volt 40 Amp
文件頁數: 5/8頁
文件大小: 121K
代理商: 40MT160PAPBF
MTP 3-Phase Rectifier Series
5
Bulletin I27145 rev. B 06/02
www.irf.com
Fig. 1 - Current Rating Characteristics
Fig. 3 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 4 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 5 - Current Rating Nomogram (1 Module Per Heatsink)
Total Output Current (A)
Maximum
Allowable
Case
Temperature
(°C)
Instantaneous
On-state
Current
(A)
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
Peak
Half
Sine
Wave
On-state
Current
(A)
Instantaneous On-state Voltage (V)
Pulse Train Duration(s)
Peak
Half
Sine
Wave
On-state
Current
(A)
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
Total Output Current (A)
Maximum
Total
Power
Loss
(W)
0
30
60
90
120
150
RthSA
=
0.1
K/W
- Delta
R
0.3
K/W
0.4
K/W
0.5
K/W
1 K/W
0.2
K/W
Fig. 2 - On-state Voltage Drop Characteristics
1
10
100
1000
0123456
Tj = 150C
Tj = 25C
40MT...P
50
100
150
200
250
1
10
100
At Any Rated Load Condition And With
Rated Vrrm Applied Following Surge.
Initial Tj = 150C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
40MT...P
Per Junction
50
100
150
200
250
300
0.01
0.1
1
Maximum Non Repetitive Surge Current
Versus Pulse Train Duration. Control
Of Conduction May Not Be Maintained.
Initial T j = 150C
No Voltage Reapplied
Rated V rrm Reapplied
40MT...P
Per Junction
0
50
100
150
200
250
0
10
203040
5060
120
(Rect)
Tj = 150C
40MT...P
80
90
100
110
120
130
140
150
160
0
1020
3040
50
120
(Rect)
40MT...P
R
(DC) = 0.27 K/W
Per Module
thJC
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40REC0770-QB-0L0T 35.0-45.0 GHz GaAs Receiver QFN, 7x7 mm
40
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410-2247-03-05-00 BRASS, PCB TERMINAL
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