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參數資料
型號: 41HFR80
廠商: International Rectifier
英文描述: STANDARD RECOVERY DIODES
中文描述: 標準恢復二極管
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 137K
代理商: 41HFR80
40HF(R) Series
6
Bulletin I20201 rev. C 03/04
www.irf.com
Fig. 7 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 8 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 6 - Forward Power Loss Characteristics
Average Forward Current (A)
Maximum
Average
Forward
Power
Loss
(W)
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
0
25
50
75 100 125 150 175 200
1.5
K/W
2 K/W
3 K/W
5 K/W
10 K/W
7 K/W
RthSA
=
1
K/W
-
Delta
R
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
10203040
RMS Limit
Conduction Angle
180
120
90
60
30
40HF(R) Series
(1400V, 1600V)
Tj = 160C
Average Forward Current (A)
Maximum
Average
Forward
Power
Loss
(W)
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
Average Forward Current (A)
Maximum
Average
Forward
Power
Loss
(W)
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
0
40
80
120
160
0
10 K/W
RthSA
=
1
K/W
- Delta
R
1.5
K/W
2 K/W
3 K/W
5 K/W
7 K/W
0
10
20
30
40
50
60
70
0
10203040506070
DC
180
120
90
60
30
RMS Limit
Conduction Period
40HF(R) Series
(1400V, 1600V)
Tj = 160C
0
40
80
120
160
200
10 K/W
RthSA
=
1
K/W
-
Delta
R
1.5
K/W
2 K/W
3 K/W
5 K/W
7 K/W
0
10
20
30
40
50
60
0
10203040506070
DC
180
120
90
60
30
RMS Limit
Conduction Period
40HF(R) Series
(100V to 1200V)
Tj = 190C
相關PDF資料
PDF描述
41HFR80M STANDARD RECOVERY DIODES
41LV16100B-50KI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
41LV16100B-50KLI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
41LV16100B-50KL 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
41LV16100B-50K 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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41HK200 功能描述:電源變壓器 XFMR 24V/24V 200 MA RoHS:否 制造商:Triad Magnetics 功率額定值:12 VA 初級電壓額定值:115 V / 230 V 次級電壓額定值:12 V / 24 V 安裝風格:SMD/SMT 一次繞組:Dual Primary Winding 二次繞組:Dual Secondary Winding 長度:2.5 in 寬度:2 in 高度:1.062 in
41J0-200S-SIL 制造商:TE Connectivity 功能描述:
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