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參數資料
型號: 41LV16100B-50KLI
廠商: Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述: 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 100萬× 16(16兆)動態與江戶頁面模式內存
文件頁數: 5/22頁
文件大小: 152K
代理商: 41LV16100B-50KLI
IS41LV16100B
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
13
Rev. B
04/13/05
ISSI
EDO-PAGE-MODE READ CYCLE
Note:
1. tPC can be measured from falling edge of
CAS to falling edge of CAS, or from rising edge of CAS to rising edge of CAS. Both
measurements must meet the tPC specifications.
tRASP
tRP
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
tCAS,
tCLCH
tCRP
tRCD
tCSH
tCP
tCAS,
tCLCH
tCAH
tCAS,
tCLCH
tRAL
tRSH
tCP
tPC(1)
tASR
tRAH
tRAD
tAR
Column
tCAH
Column
tASC
OE
I/O
WE
Open
Valid Data
tAA
tCPA
tCAC
tRAC
tCOH
tCLZ
tOEP
tOE
tOES
tOD
tOE
tOEHC
ValidData
tRCH
tRRH
tAA
tCPA
tCAC
tOFF
tCLZ
ValidData
tOD
tASC
tRCS
Don’t Care
Undefined
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PDF描述
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41LV16100B-50TL 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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參數描述
41LV16100B-50T 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
41LV16100B-50TI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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