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參數資料
型號: 41LV16100B-50TI
廠商: Integrated Silicon Solution, Inc.
英文描述: 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
中文描述: 100萬× 16(16兆)動態與江戶頁面模式內存
文件頁數: 2/22頁
文件大小: 152K
代理商: 41LV16100B-50TI
IS41LV16100B
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. B
04/13/05
ISSI
READ CYCLE
Note:
1. tOFF is referenced from rising edge of
RAS or CAS, whichever occurs last.
tRAS
tRC
tRP
tAR
tCAH
tASC
tRAD
tRAL
OE
I/O
WE
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Column
Row
Open
Valid Data
tCSH
tCAS
tRSH
tCRP
tCLCH
tRCD
tRAH
tASR
tRRH
tRCH
tRCS
tAA
tCAC
tOFF(1)
tRAC
tCLC
tOES
tOE
tOD
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Undefined
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PDF描述
41LV16100B-50TLI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
41LV16100B-50TL 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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41LV16100B-60KI 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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參數描述
41LV16100B-50TL 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE
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