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參數資料
| 型號： | 41LV16100B-50TL |
| 廠商： | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 中文描述： | 100萬× 16（16兆）動態與江戶頁面模式內存 |
| 文件頁數： | 2/22頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | 41LV16100B-50TL |
IS41LV16100B
10
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774
Rev. B
04/13/05
ISSI
READ CYCLE
Note:
1. tOFF is referenced from rising edge of
RAS or CAS, whichever occurs last.
tRAS
tRC
tRP
tAR
tCAH
tASC
tRAD
tRAL
OE
I/O
WE
ADDRESS
UCAS/LCAS
RAS
Row
Column
Row
Open
Valid Data
tCSH
tCAS
tRSH
tCRP
tCLCH
tRCD
tRAH
tASR
tRRH
tRCH
tRCS
tAA
tCAC
tOFF(1)
tRAC
tCLC
tOES
tOE
tOD
Don’t Care
Undefined
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 41LV16100B-50T | 1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| 41LV16100B-60KL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
| 41LV16100B-60KLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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