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參數(shù)資料
| 型號： | 47L160D |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | STANDARD RECOVERY DIODES |
| 中文描述： | 標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 47L160D |
45L(R)..D Series
6
www.irf.com
Bulletin I2030 rev. A 11/94
Fig. 4 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 3 - Forward Power Loss Characteristics
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
110
100
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
P
e
a
k
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
en
t(
A
)
45L(R)..D Series
Initial T = 200°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
J
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0.01
0.1
1
Pulse Train Duration (s)
P
e
ak
Ha
lf
Si
ne
W
a
v
e
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
45L(R)..D Series
Initial T = 200°C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
Versus Pulse Train Duration.
RRM
J
Maximum Non Repetitive Surge Current
25
50
75
100
125
150
175
200
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
R
=
0
.1
K
/W
-
D
e
lta
R
0
.2
K
/W
0.
6
K
/W
0.8
K/
W
1 .5
K/W
2 K/
W
3 K/W
1
K/W
0
.4
K
/W
0.
3
K
/W
th
SA
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0
40
80
120
160
RMS Limit
180°
120°
90°
60°
30°
Conduction Angle
Ma
x
im
u
m
A
v
e
ra
g
e
F
o
rw
a
rd
P
o
w
e
rL
o
ss
(W
)
Average Forward Current (A)
45L(R)..D Series
T = 200°C
J
25
50
75
100
125
150
175
200
Maximum Allowable Ambient Temperature (°C)
R
=
0
.1
K
/W
-
D
e
lta
R
0.3
K
/W
thS
A
3 K/W
2 K/W
1.5 K
/W
1 K
/W
0.8
K/W
0.6
K/
W
0
.4
K/
W
0.
2
K
/W
0
50
100
150
200
250
0
50
100
150
200
250
DC
180°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
Conduction Period
Average Forward Current (A)
M
a
x
im
u
m
A
v
e
rag
e
F
o
rw
ar
d
P
o
we
rLo
ss
(
W
)
45L(R)..D Series
T = 200°C
J
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 47L20 | STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
| 47L30 | STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
| 47L40 | STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
| 47L60 | STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
| 47L80 | STANDARD RECOVERY DIODES Stud Version |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 47L16-E/P | 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8DIP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:EERAM 存儲容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 線串口 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 |
| 47L16-E/SN | 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8SOIC 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:EERAM 存儲容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 線串口 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 47L16-E/ST | 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8TSSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:EERAM 存儲容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 線串口 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C（TA） 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 47L16-I/P | 功能描述:IC EERAM 16KBIT 1MHZ 8DIP 制造商:microchip technology 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:EERAM 存儲容量:16K（2K x 8） 速度:1MHz 接口:I2C，2 線串口 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 |
| 47L16-I/S16K | 功能描述:SERIAL EEPROM WAFER 制造商:microchip technology 系列:- 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:EERAM 技術(shù):EEPROM，SRAM 存儲容量:16Kb （2K x 8） 時(shí)鐘頻率:1MHz 寫周期時(shí)間 - 字，頁:1ms 訪問時(shí)間:400ns 存儲器接口:I2C 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
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