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參數資料
| 型號： | 4AM12 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array(N溝道/P溝道功率MOSFET陣列) |
| 中文描述： | 硅N-Channel/P-Channel功率MOS FET陣列（不適用溝道/頁溝道功率MOSFET的陣列） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 4AM12 |
4AM12
Silicon N-Channel/P-Channel Power MOS FET Array
November 1996
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
N-channel: R
DS(on) ≤ 0.075 , VGS = 10 V, ID = 4 A
P-channel: R
DS(on) ≤ 0.12 , VGS = –10 V, ID = –4 A
Capable of 4 V gate drive
Low drive current
High speed switching
High density mounting
Suitable for H-bridged motor driver
Discrete packaged devices of same die
N-channel: 2SK971, 2SK1094
P-channel: 2SJ173, 2SJ176
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 4B04B-50X-XXXJ | Thick Film Surge Resistor Networks |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 4AM17 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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