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參數資料
| 型號： | 4N25-X007 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 電容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 鉭芯片電容器 |
| 文件頁數： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N25-X007 |
www.vishay.com
4
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Vishay Semiconductors
Switching Characteristics
Typical Characteristics (Tamb = 25
°C unless otherwise specified)
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Rise and fall times
VCE = 10 V, IF = 10 mA, RL = 100
tr, tf
2.0
s
Figure 1. Forward Voltage vs. Forward Current
Figure 2. Normalized Non-Saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_01
100
10
1
.1
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
IF - Forward Current - mA
V
F
-
F
orward
Voltage
-
V
TA =–55°C
TA =25°C
TA =85°C
i4n25_02
Normalized to:
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
10
100
IF - LED Current - mA
NCTR
NCTR(SAT)
NCTR
-
Normlized
CTR
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
TA=25°C
Figure 3. Normalized Non-saturated and Saturated CTR vs. LED
Current
Figure 4. Normalized Non-saturated and saturated CTR vs. LED
Current
i4n25_03
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF- LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=50°C
i4n25_04
100
10
1
.1
0.0
0.5
1.0
1.5
IF - LED Current - mA
NCTR
-
Normalized
CTR
Normalized to:
CTRce(sat) Vce=0.4 V
Vce=10 V, IF=10 mA, TA=25°C
NCTR
NCTR(SAT)
TA=70°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N25-X009 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N25GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N25GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 4N25MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N25MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N25-X007T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25-X009 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25-X009T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25-X016 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25-X017 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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