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參數(shù)資料
| 型號： | 4N25-X009 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 電容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 鉭芯片電容器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N25-X009 |
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Minimum and maximum values are testing requirements. Typical values are characteristics of the device and are the result of engineering
evaluation. Typical values are for information only and are not part of the testing requirements.
Input
1) Indicates JEDEC registered values
Output
1) Indicates JEDEC registered values
Coupler
1) Indicates JEDEC registered values
Current Transfer Ratio
1) Indicates JEDEC registered value
Parameter
Test condition
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Forward voltage1)
IF = 50 mA
VF
1.3
1.5
V
Reverse current1)
VR = 3.0 V
IR
0.1
100
A
Capacitance
VR = 0 V
CO
25
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Collector-base breakdown
voltage1)
IC = 100 ABVCBO
70
V
Collector-emitter breakdown
voltage1)
IC = 1.0 mA
BVCEO
30
V
Emitter-collector breakdown
voltage1)
IE = 100 ABVECO
7.0
V
ICEO(dark)
1)
VCE = 10 V, (base open)
4N25
5.0
50
nA
4N26
5.0
50
nA
4N27
5.0
50
nA
4N28
10
100
nA
ICBO(dark)
1)
VCB = 10 V, (emitter open)
2.0
20
nA
Collector-emitter capacitance
VCE = 0
CCE
6.0
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Isolation voltage1)
Peak, 60 Hz
4N25
VIO
2500
V
4N26
VIO
1500
V
4N27
VIO
1500
V
4N28
VIO
500
V
Saturation voltage, collector-
emitter
ICE = 2.0 mA, IF = 50 mA
VCE(sat)
0.5
V
Resistance, input output1)
VIO = 500 V
RIO
100
G
Capacitance (input-output)
f = 1.0 MHz
CIO
0.5
pF
Parameter
Test condition
Part
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
DC Current Transfer Ratio1)
VCE = 10 V, IF = 10 mA
4N25
CTRDC
20
50
%
4N26
CTRDC
20
50
%
4N27
CTRDC
10
30
%
4N28
CTRDC
10
30
%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N25GVSERIES | Dual/Triple Ultra-Low-Voltage SOT23 µP Supervisory Circuits |
| 4N25GV | Optocoupler with Phototransistor Output |
| 4N25MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N25MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N25S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4N25-X009T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25-X016 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25-X017 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25-X017T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N25XSM | 制造商:Isocom Components 功能描述:OPTOCOUPLER SMDIP-6 TR O/P |
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