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參數資料
| 型號： | 4N26-X009T |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | DIP-6 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | 4N26-X009T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N25-X009 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N36SR2M_NL | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4A1210EH-10 | TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 4000 V ISOLATION-MAX |
| 4A1225EFH-B | TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 4000 V ISOLATION-MAX |
| 4A1225EFPGH-B | TRIGGER OUTPUT SOLID STATE RELAY, 4000 V ISOLATION-MAX |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N26-X016 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N26-X017 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N26-X017T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N26XSM | 制造商:Isocom Components 功能描述:OPTOCOUPLER SMDIP-6 TR O/P |
| 4N27 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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