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參數資料
| 型號： | 4N27-X007 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 電容 |
| 英文描述： | Tantalum Chip Capacitor |
| 中文描述： | 鉭芯片電容器 |
| 文件頁數： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 157K |
| 代理商： | 4N27-X007 |
www.vishay.com
2
Document Number 83725
Rev. 1.4, 26-Jan-05
4N25/ 4N26/ 4N27/ 4N28
Vishay Semiconductors
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Stresses in excess of the absolute Maximum Ratings can cause permanent damage to the device. Functional operation of the device is
not implied at these or any other conditions in excess of those given in the operational sections of this document. Exposure to absolute
Maximum Rating for extended periods of the time can adversely affect reliability.
Input
Output
Coupler
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Reverse voltage
VR
6.0
V
Forward current
IF
60
mA
Surge current
t < 10
sIFSM
2.5
A
Power dissipation
Pdiss
100
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Collector-emitter breakdown voltage
VCEO
70
V
Emitter-base breakdown voltage
VEBO
7.0
V
Collector current
IC
50
mA
Collector currrent
t < 1.0 ms
IC
100
mA
Power dissipation
Pdiss
150
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Isolation test voltage
VISO
5300
VRMS
Creepage
≥ 7.0
mm
Clearance
≥ 7.0
mm
Isolation thickness between
emitter and detector
≥ 0.4
mm
Comparative tracking index
DIN IEC 112/VDE0303, part 1
175
Isolation resistance
VIO = 500 V, Tamb = 25 °C
RIO
1012
VIO = 500 V, Tamb = 100 °C
RIO
1011
Storage temperature
Tstg
- 55 to + 150
°C
Operating temperature
Tamb
- 55 to + 100
°C
Junction temperature
Tj
100
°C
Soldering temperature
max.10 s, dip soldering:
distance to seating plane
≥ 1.5 mm
Tsld
260
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N27-X009 | Tantalum Chip Capacitor |
| 4N27MTA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N27S1TB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N27-X007T | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTOCOUPL DC-IN 1CH TRANS W/BASE DC-OUT 6PDIP SMD - Tape and Reel |
| 4N27-X009 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N27-X009T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N27-X017T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N27XSM | 功能描述:Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD 制造商:isocom components 2004 ltd 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 通道數:1 電壓 - 隔離:5300Vrms 電流傳輸比（最小值）:10% @ 10mA 電流傳輸比（最大值）:- 打開 / 關閉時間（典型值）:- 上升/下降時間（典型值）:2μs，2μs 輸入類型:DC 輸出類型:有基極的晶體管 電壓 - 輸出（最大值）:30V 電流 - 輸出/通道:50mA 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 電流 - DC 正向（If）:60mA Vce 飽和值（最大值）:500mV 工作溫度:-55°C ~ 100°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD，鷗翼型 供應商器件封裝:6-SMD 標準包裝:1,300 |
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