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參數資料
| 型號： | 4N27X001 |
| 廠商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-6 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | 4N27X001 |
2000 Inneon Technologies Corp. Optoelectronics Division San Jose, CA
Phototransistor, Industry Standard
www.inneon.com/opto 1-888-Inneon (1-888-463-4636)
OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Regensburg, Germany
www.osram-os.com +49-941-202-7178
4
March 27, 2000-00
MCT2/MCT2E—Characteristics TA=25°C
MCT270 through MCT277—Characteristics TA=25°C
Emitter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
Forward Voltage
VF
—
1.1
1.5
V
IF=20 mA
Reverse Current
IR
——
10
A
VR=3.0 V
Capacitance
CO
—
25
—
pF
VR=0, f=1.0 MHz
Detector
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
BVCEO
30
——
V
IC=1.0 mA, IF=0 mA
Emitter-Collector
BVECO
7.0
——
IE=100 A, IF=0 mA
Collector-Base
BVCBO
70
——
IC=10 A, IF=0 mA
Leakage Current
Collector-Emitter
ICBO
—
5.0
50
nA
VCE=10 V, IF=0
Collector-Base
ICBO
——
20
—
Capacitance, Collector-Emitter
—
CCE
—
10
—
pF
VCE=0
Package
DC Current Transfer Ratio
CTR
20
60
—
%
VCE=10 V, IF=10 mA
Capacitance, Input to Output
CIO
—
0.5
—
pF
—
Resistance, Input to Output
RIO
—
100
—
G
—
Switching Time
tON, tOFF
—
3.0
—
s
IC=2.0 mA, RL=100 , VCE=10 V
Emitter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Condition
Forward Voltage
VF
——
1.5
V
IF=20 mA
Reverse Current
IR
——
10
A
VR=3.0 V
Capacitance
CO
—
25
—
pF
VR=0, f=1.0 MHz
Detector
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
BVCEO
30
——
V
IC=10 A, IF=0 mA
Emitter-Collector
BVECO
7.0
——
IE=10 A, IF=0 mA
Collector-Base
BVCBO
70
———
IC=10 A, IF=0 mA
Leakage Current, Collector-Emitter
ICEO
——
50
nA
VCE=10 V, IF=0 mA
Package
DC Current Transfer Ratio
MCT270
CTR
50
——
%
VCE=10 V, IF=10 mA
MCT271
45
—
90
MCT272
75
—
150
MCT273
125
—
250
MCT274
225
—
400
MCT275
70
—
210
MCT276
15
—
60
MCT277
100
——
Current Transfer Ratio, Collector–Emitter
MCT271–276
CTRCE
12.5
——
%
VCE=0.4 V, IF=16 mA
MCT277
40
——
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
VCEsat
——
0.4
V
ICE=2.0 mA, IF=16 mA
Capacitance, Input to Output
CIO
—
0.5
—
pF
—
Resistance, Input to Output
RIO
—
1012
—
VIO=500 VDC
Switching Time
MCT270/272
tON, tOFF ——
10
s
IC=2.0 mA,
RL=100 ,
VCE=5.0 V
MCT271
——
7.0
MCT273
——
20
MCT274
——
25
MCT275/277
——
15
MCT276
——
3.5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N28X001 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N25 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N28 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N26 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N27 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N27-X007 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N27-X007T | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTOCOUPL DC-IN 1CH TRANS W/BASE DC-OUT 6PDIP SMD - Tape and Reel |
| 4N27-X009 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N27-X009T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N27-X017T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>10% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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