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參數資料
| 型號： | 4N32.W |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 4N32.W |
DESCRIPTION
The 4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33 have a gallium
arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon
planar photodarlington.
GENERAL PURPOSE 6-PIN
PHOTODARLINGTON OPTOCOUPLERS
4N29
4N30
4N31
4N32
4N33
APPLICATIONS
Low power logic circuits
Telecommunications equipment
Portable electronics
Solid state relays
Interfacing coupling systems of different potentials and impedances.
Parameter
Symbol
Value
Units
TOTAL DEVICE
TSTG
-55 to +150
°C
Storage Temperature
Operating Temperature
TOPR
-55 to +100
°C
Lead Solder Temperature
TSOL
260 for 10 sec
°C
Total Device Power Dissipation @ TA = 25°C
PD
250
mW
Derate above 25°C
3.3
mW/°C
EMITTER
IF
80
mA
Continuous Forward Current
Reverse Voltage
VR
3V
Forward Current - Peak (300 s, 2% Duty Cycle)
IF(pk)
3.0
A
LED Power Dissipation @ TA = 25°C
PD
150
mW
Derate above 25°C
2.0
mW/°C
DETECTOR
BVCEO
30
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
BVCBO
30
V
Emitter-Collector Breakdown Voltage
BVECO
5V
Detector Power Dissipation @ TA = 25°C
PD
150
mW
Derate above 25°C
2.0
mW/°C
Continuous Collector Current
IC
150
mA
4/25/00
200038B
FEATURES
High sensitivity to low input drive current
Meets or exceeds all JEDEC Registered Specifications
VDE 0884 approval available as a test option
-add option .300. (e.g., 4N29.300)
EMITTER
COLLECTOR
1
2
3
ANODE
CATHODE
4
5
6 BASE
N/C
SCHEMATIC
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A = 25°C Unless otherwise specified.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N29.W | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N30.300W | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N31.W | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N29.SD | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N32.S | 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N32-X000 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Photodarlington Out Single CTR >500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N32-X001 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N32-X006 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N32-X007 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N32-X007T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>500% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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