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參數資料
| 型號： | 4N35MTA-V |
| 廠商： | Everlight Electronic Co., Ltd. |
| 英文描述： | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 中文描述： | 6引腳DIP光電晶體管光電耦合器 |
| 文件頁數： | 7/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | 4N35MTA-V |
6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR
PHOTOCOUPLER
Everlight Electronics Co., Ltd.
3
http:\\www.everlight.com
Document No：DPC-717-044 Rev. 0
September 12, 2007
4N2X Series
4N3X Series
H11AX Series
Electrical Characteristics (Ta=25°C unless specified otherwise)
Input
Parameter
Symbol
Min.
Typ.*
Max.
Unit
Condition
Forward voltage
VF
-
1.2
1.5
V
IF = 10mA
Reverse current
IR
-
10
A
VR = 6V
Input capacitance
Cin
-
30
-
pF
V = 0, f = 1MHz
Output
Parameter
Symbol
Min.
Typ.*
Max.
Unit
Condition
Collector-Base dark current
ICBO
-
20
nA
VCB = 10V
-
50
VCE = 10V, IF=0mA
Collector-Emitter dark
current
ICEO
-
50
nA
VCE = 60V, IF=0mA
Collector-Emitter
breakdown voltage
BVCEO
80
-
V
Ic=1mA
Collector-Base
breakdown voltage
BVCBO
80
-
V
IC=0.1mA
Emitter-Collector
breakdown voltage
BVECO
7
-
V
IE=0.1mA
Emitter-Base
breakdown voltage
BVEBO
7
-
V
IE=0.1mA
Collector-Emitter
capacitance
CCE
-
8
-
pF
VCE=0V, f=1MHz
* Typical values at Ta = 25°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N35MTB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35S1TA-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35S1TB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35STB-V | 6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35V | Optocoupler with Phototransistor Output |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N35MTB-V | 制造商:EVERLIGHT 制造商全稱:Everlight Electronics Co., Ltd 功能描述:6 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER |
| 4N35M-V | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N35S | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 PTR 100%, 3.5KV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N35S(TA) | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N35S(TA)-V | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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