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參數資料
| 型號： | 4N38.W |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-6 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | 4N38.W |
8/9/00
200046A
H11D1, H11D2, H11D3, H11D4, 4N38
HIGH VOLTAGE
PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
Notes
* Parameters meet or exceed JEDEC registered data (for 4N38 only)
** All typical values at TA = 25°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A = 25°C Unless otherwise specified.)
Characteristic
Test Conditions
Symbol
Device
Min
Typ**
Max
Unit
EMITTER
(IF = 10 mA)
VF
ALL
1.15
1.5
V
*Forward Voltage
Forward Voltage Temp.
!VF
ALL
-1.8
mV/°C
Coefficient
!TA
Reverse Breakdown Voltage
(IR = 10 A)
BVR
ALL
6
25
V
Junction Capacitance
(VF = 0 V, f = 1 MHz)
CJ
ALL
50
pF
(VF = 1 V, f = 1 MHz)
ALL
65
pF
*Reverse Leakage Current
(VR = 6 V)
IR
ALL
0.05
10
A
DETECTOR
(RBE = 1 M")
BVCER
H11D1/2
300
*Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mA, IF = 0)
H11D3/4
200
Collector to Emitter
(No RBE) (IC = 1.0 mA)
BVCEO
4N38
80
H11D1/2
300
V
*Collector to Base
(IC = 100 A, IF = 0)
BVCBO
H11D3/4
200
4N38
80
Emitter to Base
(IE = 100 A , IF = 0)
BVEBO
4N38
7
Emitter to Collector
BVECO
ALL
7
10
(VCE = 200 V, IF = 0, TA = 25°C)
H11D1/2
100
nA
*Leakage Current
(VCE = 200 V, IF = 0, TA = 100°C)
ICER
250
A
Collector to Emitter
(VCE = 100 V, IF = 0, TA = 25°C)
H11D3/4
100
nA
(RBE = 1 M")(VCE = 100 V, IF = 0, TA = 100°C)
250
A
(No RBE) (VCE = 60 V, IF = 0, TA = 25°C)
ICEO
4N38
50
nA
INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS
Parameter
Symbol
Value
Units
DETECTOR
300
mW
*Power Dissipation @ TA = 25°CPD
Derate linearly above 25°C
4.0
mW/°C
H11D1 - H11D2
300
*Collector to Emitter Voltage
H11D3 - H11D4
VCER
200
4N38
80
H11D1 - H11D2
300
V
*Collector Base Voltage
H11D3 - H11D4
VCBO
200
4N38
80
*Emitter to Collector Voltage
H11D1 - H11D2
VECO
7
H11D3 - H11D4
Collector Current (Continuous)
100
mA
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Cont.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N38 | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N38-G | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N38X-G | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N38AX-G | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 4N38A-G | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N38X | 制造商:ISOCOM 制造商全稱:ISOCOM 功能描述:OPTICALLY COUPLED ISOLATOR PHOTOTRANSISTOR OUTPUT |
| 4N38-X007 | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N38-X007T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N38-X009T | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Phototransistor Out Single CTR>20% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N39 | 功能描述:三極與 SCR 輸出光電耦合器 Photo SCR Opto RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸出設備:PhotoTriac 每芯片的通道數量: 絕緣電壓:3750 Vrms 正向電流:10 mA 正向電壓:1.2 V 最大觸發電流:10 mA 關斷狀態下輸出電壓-VDRM:600 V 最大連續輸出電流: 零交叉電路: 封裝:Reel |
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