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參數資料
| 型號： | 4N38S |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 光電耦合器 |
| 英文描述： | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| 中文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封裝： | DIP-6 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | 4N38S |
Parameter
Symbol
Value
Units
TOTAL DEVICE
TSTG
-55 to +150
°C
Storage Temperature
Operating Temperature
TOPR
-55 to +100
°C
Lead Solder Temperature
TSOL
260 for 10 sec
°C
Total Device Power Dissipation @ TA = 25°C
PD
260
mW
Derate above 25°C
3.5
mW/°C
EMITTER
IF
80
mA
*Forward DC Current
*Reverse Input Voltage
VR
6.0
V
*Forward Current - Peak (1s pulse, 300pps)
IF(pk)
3.0
A
*LED Power Dissipation @ TA = 25°C
PD
150
mW
Derate above 25°C
1.41
mW/°C
FEATURES
High Voltage
- H11D1, H11D2, BVCER = 300 V
- H11D3, H11D4, BVCER = 200 V
High isolation voltage
- 5300 VAC RMS - 1 minute
- 7500 VAC PEAK - 1 minute
Underwriters Laboratory (UL) recognized File# E90700
DESCRIPTION
The H11DX and 4N38 are phototransistor-type optically coupled optoisolators. An infrared emitting
diode manufactured from specially grown gallium arsenide is selectively coupled with a high voltage
NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
8/9/00
200046A
EMITTER
COLLECTOR
1
2
3
ANODE
CATHODE
4
5
6 BASE
N/C
HIGH VOLTAGE
PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11D1
H11D2
H11D3
H11D4
4N38
APPLICATIONS
Power supply regulators
Digital logic inputs
Microprocessor inputs
Appliance sensor systems
Industrial controls
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4N38SD | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| 4N38W | HIGH VOLTAGE PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS |
| 4N38A | PHOTO TRANSISTOR (AC LINE/DIGITAL LOGIC ISOLATOR) |
| 4N38M | High Voltage Phototransistor Optocouplers |
| 4N38SM | 6-pin DIP High Voltage Phototransistor Output Optocoupler; Package: SMDIP-W; No of Pins: 6; Container: Bulk |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 4N38S(TA) | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N38S(TA)-V | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N38S(TB) | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N38S(TB)-V | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
| 4N38S_Q | 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 SO-6 HV PHOTO TRAN RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發射極電壓:70 V 最大集電極/發射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk |
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