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55J1202DS

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55J1202DS 技術參數

55J10RE 功能描述:RES 10 OHM 5W 5% AXIAL 制造商:ohmite 系列:50 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:10 容差:±5% 功率（W）:5W 成分:繞線特性:- 溫度系數:±50ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向大小/尺寸:0.315" 直徑 x 0.827" 長（8.00mm x 21.00mm）高度:- 端子數:2 標準包裝:25 55J10KE 功能描述:RES 10K OHM 5W 5% AXIAL 制造商:ohmite 系列:50 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:10k 容差:±5% 功率（W）:5W 成分:繞線特性:- 溫度系數:±30ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向大小/尺寸:0.315" 直徑 x 0.827" 長（8.00mm x 21.00mm）高度:- 端子數:2 標準包裝:25 55J100E 功能描述:RES 100 OHM 5W 5% AXIAL 制造商:ohmite 系列:50 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:100 容差:±5% 功率（W）:5W 成分:繞線特性:- 溫度系數:±30ppm/°C 工作溫度:- 封裝/外殼:軸向供應商器件封裝:軸向大小/尺寸:0.315" 直徑 x 0.827" 長（8.00mm x 21.00mm）高度:- 端子數:2 標準包裝:25 55GN01MA-TL-E 功能描述:TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB @ 1GHz 增益:10dB @ 1GHz 功率 - 最大值:400mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 55GN01FA-TL-H 功能描述:TRANS NPN BIPO 70MA 10V SSFP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:4.5GHz ~ 5.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB @ 1GHz 增益:11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-81 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:8,000 55J5R0E 55J750E 55J75RE 55J7R5E 55JR10E 55JR50E 55K9081-20-9 55K9082-20-2/6 55K9082-24-2/6 55K9083-20-2/6/4 55K9083-24-2/6/4 5-5L 55LF0114-26-0 55LF0114-26-0CS3363 55LF0114-26-1 55LF0114-26-1CS3365 55LF0114-26-2 55LF0114-26-2CS3364