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5HP02M(XHZ)

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5HP02M(XHZ) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

5HP02M(XHZ) 技術參數

5HP01S-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SMCP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態:生命周期結束標準包裝:3,000 5HP01SS-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態:Not Recommended For New Designs 標準包裝:8,000 5HP01SS-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP3 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態:有效標準包裝:8,000 5HP01M-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 歐姆 @ 40mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:1 5HP01M-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:生命周期結束 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 歐姆 @ 40mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6.2pF @ 10V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 5HT 100-R 5HT 10-R 5HT 1-R 5HT 2 5HT 2.5 5HT 2.5-R 5HT 200-R 5HT 250-R 5HT 2-R 5HT 3.15 5HT 3.15-R 5HT 4 5HT 400-R 5HT 4-R 5HT 5 5HT 500-R 5HT 5-R 5HT 6.3