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參數資料
| 型號： | 5082-2830 |
| 元件分類： | 射頻混頻器 |
| 英文描述： | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, L BAND, MIXER DIODE |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 5082-2830 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 5082-2830 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, L BAND, MIXER DIODE |
| 5082-2835 | SILICON, VHF-UHF BAND, MIXER DIODE |
| 5082-2837 | SILICON, MIXER DIODE |
| 5082-2837 | SILICON, MIXER DIODE |
| 5082-2837 | SILICON, MIXER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 5082-2835 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| 5082-2835#T25 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| 5082-2835#T50 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 8 VBR 1 pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| 5082-2835 | 制造商:Avago Technologies 功能描述:DIODE RF SCHOTTKY |
| 5082-2835_1008 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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